IT之家 6 月 4 日音尘，据韩媒 the bell 当地时分 5 月 28 日报谈，SK 海力士探讨在大连二厂开发“200 层中段”（250 层傍边）的 FG（浮栅）结构 3D NAND 产线。

几大闪存原厂咫尺均在其 3D NAND 中禁受 CT（电荷阱）结构，只有 SK 海力士通过对英特尔闪存业务的收购保留了 FG NAND 坐褥线。SK 海力士大连一厂咫尺具备 192 层 FG NAND 的量产才气。

韩媒暗示，SK 海力士客岁完成了 200 层以上 FG NAND 的研发责任，咫尺正向量产悠扬。其探讨 2026Q3 开发一条中试线，百家乐下载(中国)相关开荒采购果决入手，后续见识到 2027H2 兑现全面量产。

相较 CT，FG 结构更相宜每单位比特数更高的 QLC NAND 闪存。而 AI 尤其是推理责任负载对不重写入的读取密集型 SSD 有着很高的需求百家乐ios，这恰是 QLC 的用武之地。另一方面，技能路子的陆续也有益于 Solidigm 开发责任保握连贯。